主持人王庆宇开场抛出问题：过去12个月，功率半导体行业被技术迭代、资本波动、需求结构转移三大力量同时推搡。对研发和产能，冲击最直观的是什么？

• 张清纯（复旦大学）：市场环境和需求波动加剧，研发端从通用标准品转向针对应用的定制化器件。行业竞争激烈，企业要“先保证生存，再谋发展”。

• 程凯（苏州晶湛）：数据中心的拉动让“低压GaN需求比高压更迫切”。原来公认GaN难做低压器件，但通过多次外延工艺已看到成长空间。

• YK Hsiao & HC Kuo（富士康研究院）：用一句话总结就是“化合物半导体 + AI，AI for 化合物半导体”。在数据中心等场景中，SiC与GaN正在成为能源效率的关键支撑。

• 俎永熙（杰平方）：提出“杰平方定律”——通过持续的技术革新与成本优化，致力于每两年将碳化硅功率芯片的“价值”翻倍；高良率与可靠性叠加，将推动迭代和产能扩充。

• 陈彤（泰科天润）：全链条都承受压力，但要记住一句话：“坚持就是胜利。” 中国工程师团队的韧性，正是未来反弹的底气。

这一轮发言中，可以清晰看到：学界强调研发转向，材料端看好低压GaN，代工端押注AI结合，IDM谈资本与产能叠加，而国产IDM领军者则强调坚持和蓄势。

议题二：SiC扩张与可持续性——Wolfspeed的镜鉴

6月，Wolfspeed启动 Chapter 11 重组，是否还能守住8英寸产线，引发行业震动。

• 张清纯：

  曾在Wolfspeed工作13年，他的感触更深：“不是他们做得不好，而是大环境变了。新能源车市场高度集中在中国，加上国内SiC竞争太激烈，对他们形成了巨大挤压。”

  他判断：未来3-4年，中国SiC企业将快速洗牌，最终只剩几家龙头。

• 陈彤：

  他直言趋势不改，“中国制造的竞争力一定是碾压全球的。”
  但他也提醒：背后的代价是过度的内部竞争。“我们的工程师甚至能在一个项目上一待六个月见不到家人，这样的辛苦放在全球都罕见。”

  他担忧“过度内卷”，呼吁行业找到平衡点，否则容易陷入自耗。

• YK Hsiao & HC Kuo：

  从代工角度指出，SiC真正的大规模放量，需要解决可靠性疑虑。他们提到检测设备、wafer level burn-in 等工艺进步，可以在晶圆阶段提前筛掉隐患，提高整体可靠度。这是消除“用着不放心”顾虑的关键。

在这个议题里，观点分化：有的看到了中国企业的机会与洗牌，有的提醒要警惕内耗，有的则把注意力放在测试与可靠性体系。

• 程凯：

  直言“台积电与GaN没有缘分”。20年前放弃LED，如今放弃功率GaN，原因是功率器件在他们的业绩占比里太小。

  但他坚信未来3-5年GaN会迎来多个爆发点，不仅在功率器件，还有microLED和射频。

• 俎永熙：

  补充背景——台积电并未完全离开第三代半导体，还在通过合作涉足SiC。

  他强调“这恰恰是中国的机会”，并再次回到“杰平方定律”：技术快速迭代 + 高良率降本，才能真正满足车企和AI的需求。

可以看到，两位嘉宾，一个谈市场空间，一个谈降本路径。两人视角不同，却共同指向一点：台积电的退出，是留给后来者的窗口。

英伟达提出800V HVDC数据中心架构，如何分工？

• 陈彤：

  划出电压分界线——“1200V以上是SiC主场，650V以下是GaN机会。”最终目标是全面取代硅，未来2-3年就是发起总攻的时刻。

• YK Hsiao & HC Kuo：

  给出具体分层方案——外部高压环节用SiC，降到200V、48V再到1V时用GaN。这种组合会很快成为标准化路径。

• 程凯：

  从材料角度强调互补——“最适合GaN外延的衬底就是SiC。”随着成本下降，两者协同将更紧密。

• 俎永熙：

  提出“合作大于竞争”。竞争促进进步，但未来关键是协同发展。

• 陈彤最后再点明：“真正的对手是硅。国产生态有能力完成替代。”

这一议题的共识逐渐显现：SiC与GaN不是零和博弈，而是互补协同，共同替代硅。

总结：真实的声音

这场论坛没有“唯一答案”，但传递了三点真实信息：

1. 趋势冲击已深入研发与产能决策——从定制化研发到低压GaN突围，再到AI驱动的新场景。

2. SiC扩张既是机会，也是内耗风险——洗牌加剧，可靠性与成本是关键。

3. GaN与SiC不是竞争者，而是协同者——台积电的退场，反而凸显中国生态的窗口。

如同嘉宾们最后的总结所呈现的：

• GaN与SiC是合作关系；

• 竞争是必须的，但真正的目标是替代硅；

• 只有坚持，才能把压力转化为产业新一轮爆发的起点。

这，就是2025IPF功率半导体圆桌论坛的核心共识。